在《中國制造2025》重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖中，確定了集成電路及專用設(shè)備、信息通信設(shè)備、操作系統(tǒng)與工業(yè)軟件、智能制造核心信息設(shè)備四大細(xì)分行業(yè)，作為到2025年我國新一代信息基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)。

集成電路為何榮登《中國制造2025》高座？

海關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)可給出些許答案。2015年進(jìn)口集成電路3139.96億塊，同比增長10%；進(jìn)口金額2307億美元（約1.5萬億元人民幣），同比增長6%。出口集成電路1827.66億塊，同比增長19.1%；出口金額693.1億美元，同比增長13.9%，2015年進(jìn)口額為2011年的1.36倍，出口額為2011年的2.13倍。集成電路成為我國每年進(jìn)口貨值最高的商品。

2016年1-6月，中國集成電路進(jìn)口數(shù)量為153,882百萬個，同比增長6.9%；2016年1-6月中國集成電路進(jìn)口金額為100,591,511千美元，同比下降2.3%。2016年1-6月中國集成電路進(jìn)口量統(tǒng)計表如下表所示：

2016年1-6月中國集成電路進(jìn)口量統(tǒng)計表

數(shù)據(jù)來源：中國海關(guān)

為配合《中國制造2025》穩(wěn)步實(shí)施，國家出臺《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》（簡稱《推進(jìn)綱要》）。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金積極發(fā)力，我國集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢。

2016年，武漢、深圳、合肥、泉州等多地紛紛擬布局或開工建設(shè)存儲器芯片生產(chǎn)線。全球存儲器業(yè)自1999年始，歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家數(shù)量越來越少，至今為止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲芯片領(lǐng)域很久沒有“新進(jìn)者”出現(xiàn)了。

中國此輪“存儲熱潮”既說明《推進(jìn)綱要》第一階段實(shí)施工作已取得顯著成果，也預(yù)示著下一輪全球存儲器發(fā)展的中心將逐步向中國轉(zhuǎn)移。未來，隨著《推進(jìn)綱要》實(shí)施的不斷深化，將進(jìn)一步調(diào)動國際國內(nèi)資源積極性，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力不斷增強(qiáng)，進(jìn)而促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，中國集成電路產(chǎn)業(yè)在存儲器等重大產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)?shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展。

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2016年上半年，全球半導(dǎo)體市場銷售額1574億美元，同比下降了5.8%。受此影響，上半年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額同比增長16.1%，比第一季度增幅下降了0.4個百分點(diǎn)，銷售額為1847.1億元。其中，設(shè)計業(yè)銷售額為685.5億元，同比增長24.6%；制造業(yè)銷售額454.8億元，同比增長14.8%；封裝測試業(yè)銷售額706.8億元，同比增長9.5%。

2010-2016年中國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長情況預(yù)測

但由于起步較晚，我國集成電路產(chǎn)業(yè)整體水平較低，總體上處于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的低端水平，高端產(chǎn)品基本上被歐洲、美國和日本等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)的企業(yè)壟斷。我國每年仍需進(jìn)口大量集成電路產(chǎn)品，以滿足國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

中國創(chuàng)造，須有產(chǎn)權(quán)保護(hù)

當(dāng)前，為加快我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提升技術(shù)創(chuàng)新能力，我國亟需繼續(xù)加大集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)的保護(hù)力度。然而，在實(shí)踐中，集成電路布圖設(shè)計登記、侵權(quán)比對、侵權(quán)判定等各個環(huán)節(jié)仍存在諸多問題。

按照相關(guān)規(guī)定，權(quán)利人在申請登記集成電路布圖設(shè)計時，必須提交紙質(zhì)復(fù)制件或圖樣，還可以選擇提交電子文檔，并在集成電路布圖設(shè)計已經(jīng)投入商業(yè)使用的前提下提交芯片，但實(shí)踐中經(jīng)常出現(xiàn)權(quán)利人提交的3種載體的內(nèi)容不一致的情況。

我國集成電路布圖設(shè)計實(shí)行的是登記制，權(quán)利人只有到國家知識產(chǎn)權(quán)局對集成電路布圖設(shè)計進(jìn)行登記才能獲得專有權(quán)。但是，權(quán)利人提交的不同載體的內(nèi)容必須是一致的，如果出現(xiàn)不一致的情況，應(yīng)以紙質(zhì)復(fù)制件或圖樣為準(zhǔn)。

集成電路布圖設(shè)計保護(hù)的另一個難點(diǎn)問題是對其獨(dú)創(chuàng)性的判斷。根據(jù)《集成電路布圖設(shè)計保護(hù)條例》的規(guī)定，只有具有獨(dú)創(chuàng)性的布圖設(shè)計才能受到保護(hù)，即需要同時滿足“獨(dú)”和“創(chuàng)”兩個條件。一般來說，布圖設(shè)計都是在現(xiàn)有研究成果的基礎(chǔ)上進(jìn)行再創(chuàng)新，而布圖設(shè)計中的常規(guī)設(shè)計不受保護(hù)。

隨著集成電路集成度不斷增加，功能單元越來越小，設(shè)計者在滿足越來越苛刻的設(shè)計要求和原則的條件下，難以在設(shè)計高度和內(nèi)容上有很多創(chuàng)新突破和變化，因此布圖設(shè)計的“創(chuàng)”低于我國專利法中的創(chuàng)造性高度。

對于集成電路布圖設(shè)計面臨的保護(hù)難題，國家知識產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會電學(xué)申訴一處負(fù)責(zé)人表示，集成電路布圖設(shè)計登記門檻低，是與其登記后的保護(hù)強(qiáng)度低相對應(yīng)的，如果想要獲得較高強(qiáng)度的保護(hù)，可以通過提交專利申請來實(shí)現(xiàn)。《推進(jìn)綱要》也加強(qiáng)了對集成電路布圖設(shè)計的保護(hù)力度。

啟示錄：集成電路是信息時代高科技產(chǎn)品的核心，對信息安全起著決定性作用，我國必須繼續(xù)加大對集成電路企業(yè)的扶持力度，鼓勵企業(yè)快速提升集成電路布圖設(shè)計水平，加大集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)的保護(hù)力度，只有這樣，才能促進(jìn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)的騰飛。

見微知著，在推進(jìn)《中國制造2025》龐大的智能制造體系建設(shè)過程中，埋頭苦干的中國企業(yè)們，一心追求創(chuàng)新創(chuàng)造的同時，別忘記加一道“知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)”安全鎖。（文/GK-zly）