設想你正為比沙粒還小巧的芯片構筑“庇護所”——它既要屏蔽外界對脆弱電路的潛在威脅，又要確保與外部設備無縫互聯，同時還需高效應對散熱堆積與信號干擾的復雜挑戰。這，正是集成電路封裝（IC Packaging）的核心意義。

微米世界的競爭：激光植球工藝的精進之路

封裝技術的演進，始終圍繞“更小、更密、更強”的主線展開：從體積龐大的 DIP，到伴隨 SMT 崛起而普及的 QFP，再到 20 世紀 90 年代出現的 LGA、BGA，封裝技術在設計和工藝上持續演進。進入 21 世紀，倒裝、SiP、WLP 等先進封裝技術快速興起。近年來，在AI、大算力與移動終端的強勁拉動下，結構型封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）及扇出型封裝（Fan-Out）等技術快速普及，先進封裝市場呈現井噴態勢。

Yole Group的數據印證了這一趨勢：2024 年先進封裝市場達460億美元，較2023年回暖后同比增長19%，預計 2030 年將超794億美元，2024-2030年復合年增長率達 9.5%，AI 與高性能計算需求是主要驅動力。

在這一進程中，植球工藝作為先進封裝的核心環節，直接關系到最終產品的性能與可靠性。

隨著先進封裝中凸點尺寸進入微米級，傳統植球工藝因加工精度有限、熱影響區大、定制成本高等缺陷，已難以滿足高端生產應用的需求。

激光植球技術正成為解決這些問題的關鍵路徑。它通過高精度激光聚焦熔化焊球，實現無助焊劑焊接，可有效改善傳統網版印刷植球存在的小組件易損傷、精度難控制、助焊劑易污染器件等缺點，更大幅提升了植球的精度與一致性。

破局之道：鐳射沃的50μm精度飛躍

當下激光植球雖然憑借其無接觸、無需助焊劑、加工工序少、良率高的優勢取得了一定的應用，但植球精度受限（長期停滯在80μm左右）、熱影響范圍不穩定、個性化需求多及定制成本高等問題仍長期制約該技術的進一步推廣。

針對上述行業存在的問題，國內激光錫焊領域頭部企業——鐳射沃給出了全新的解決方案。

據了解，鐳射沃是一家提供智能激光解決方案的領先公司，自2003年成立以來，專注于激光微型焊球噴射焊接系統、切割、打標和AOI設備，在3C電子、半導體、汽車電子等領域持續深耕。

鐳射沃激光科技推出的MLS1112H全自動激光植球設備，同時兼具速度、精度及穩定性，完美地解決了上述制約激光植球技術進一步推廣的困境。

核心技術：MLS1112H設備的創新解析

鐳射沃采用獨創性微氣壓傳感的錯位緊湊型高速非接觸微球激光焊接工藝與結構設計，拉高了行業內“更小、更快、更可靠”的新標準。

• 精度突破：50μm微錫球焊接技術，行業內最小尺寸應用，XY軸精度差控制在±2μm以內，產品良率可達99.8%以上，可應用于芯片植球領域，大幅提升了封裝密度和產品性能。

• 效率提升：實現7球/秒高速放球，優于國際水平3-4球/秒，顯著提高了生產效率。

• 智能化集成：全自動化設計，配合AOI視覺檢測和高精度CCD定位，確保高良率和超高精度。適用于晶圓級封裝（WLCSP）、系統級封裝（SiP）等各種先進半導體封裝場景。

傳統激光植球設備在面對多樣化產品需求時，在切換過程中，往往需要重新編程、調整坐標，耗時且適配復雜，導致設備定制研發周期長、投入高，制約了中小企業的應用普及。

對此，鐳射沃憑借在激光精密焊接領域的深厚積累，新推出了MLS1112H全自動激光植球設備，該設備僅需編程及坐標輸入，即可快速完成產品切換，耗時僅10余分鐘。這一特性顯著提升生產效率，更適應產品快速迭代需求，為高端制造領域提供高效、靈活的技術解決方案。此外，該設備通過微氣壓傳感實時反饋進行閉環控制，可實現焊錫覆蓋率＞90%，良率99.8%以上。

傳統植球工藝VS鐳射沃激光植球工藝

結語：未來布局，重塑半導體封裝的可能性

在后摩爾定律時代，先進封裝對于芯片及系統整體性能提升的重要性愈發明顯，其中，封裝設備作為核心載體，其精度與可靠性直接決定良品率與成本，是半導體產業鏈的核心環節。唯有實現設備自主可控，才能突破技術封鎖，在全球競爭中掌握主動權，引領產業變革。

鐳射沃研發的MLS1112H全自動激光植球設備在50μm植球領域的突破，不僅是精密制造技術的升級，更是半導體產業向小型化、高性能化演進的關鍵支撐。從消費電子到半導體封裝，其技術應用正在重塑多個行業的生產范式。憑借全自主研發的硬件實力、智能化的軟件生態和深度定制的服務能力，鐳射沃正推動中國芯片封裝設備產業邁向新的高度。