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VASP最全入門干貨:四個輸入文件詳解

VASP最全入門干貨:四個輸入文件詳解

2025/12/11 15:52:06

VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一個基于 Fortran 的從頭計算軟件包,主要用于進行密度泛函理論(DFT)計算,以處理材料的電子結構。它采用平面波基組和贗勢方法,適用于模擬固體、表面、分子和納米結構的電子、結構和動力學性質。VASP 的主要功能包括電子結構計算、離子弛豫(結構優(yōu)化)、分子動力學模擬、帶結構分析以及各種高級功能如雜化泛函、GW 方法和機器學習力場。它的目的是通過量子力學原理從第一性原理模擬材料行為,幫助研究者預測材料的物理和化學性質,而無需實驗數據。VASP 是材料科學、凝聚態(tài)物理和計算化學領域的標準工具之一,由維也納大學開發(fā),是專有軟件,需要許可證。

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運行 VASP 計算通常需要四個主要輸入文件:INCAR、POSCAR、KPOINTS 和 POTCAR。這些文件定義了計算參數、原子結構、k 點采樣和贗勢。VASP 使用合理的默認值,但這些文件允許用戶自定義計算。輸出文件包括 OUTCAR(詳細日志)、CONTCAR(更新后的結構)和 WAVECAR(波函數)等。下面詳細解釋每個輸入文件的目的、格式以及各行(或部分)的含義和用途。

 

一、INCAR 文件

 

目的

INCAR 是 VASP 的核心輸入文件,用于控制計算的算法、參數和行為。它決定了 VASP “做什么”和“如何做”,包括電子結構優(yōu)化、離子弛豫、分子動力學等。如果某些參數未指定,VASP 會使用默認值。但 INCAR 是最常見的錯誤來源,因此需要仔細理解每個標簽的含義。(vasp.at)

格式

INCAR 是一個標簽格式的自由 ASCII 文本文件。每行通常是一個語句,格式為 標簽 = 值。支持多語句在一行(用分號 ; 分隔)、長行續(xù)行(用反斜杠 \)、引號內換行,以及注釋(用 # 或 !)。空行通常被忽略,但制表符可能引起問題。

各行/標簽的含義和用途(常見示例)

INCAR 中的行是鍵-值對,不是固定順序。以下是常見標簽的詳細解釋,按類別分組。每個標簽后是示例行、值范圍和用途。

  • 系統(tǒng)描述標簽:

  • SYSTEM = Rhodium surface calculation 含義:系統(tǒng)名稱或描述,為計算體系起名字。用途:僅用于標識,不影響計算。輸出文件會回顯此信息,便于管理多個計算。

    • 啟動和電荷初始化標簽:

  • ISTART = 0 含義:0 表示從頭開始計算;1 表示從 WAVECAR 讀取軌道。用途:控制計算是否續(xù)算。默認 0,用于新任務;用于重啟時設為 1 以加速收斂。2 只在計算體積-能量相關曲線的時候用到。3 在重啟分子動力學計算的時候使用,同時需要WAVECAR、CHGCAR(用于儲存電荷密度信息)文件。

  • ICHARG = 2 含義:0 代表由WAVECAR計算電荷密度信息,若沒有WAVECAR文件,則默認ICHARG = 2;1 代表由CHGCAR文件讀取。如果沒有CHGCAR文件,則由初猜產生;2 代表由程序初猜產生;ICHARG = 3 在重啟分子動力學計算時使用;11/12/13 在做非自洽計算時使用、DOS和能帶計算時使用。

    • 電子結構參數標簽:

  • ENCUT = 300.00 含義:平面波截斷能量(單位 eV)。 用途:定義波函數擴展的能量上限。通常至少等于 POTCAR 中的 ENMAX,以確保精度。過低導致不準,過高增加計算成本。

  • ALGO = Normal 含義:電子最小化算法(Normal、Fast、All 等)。

  • 用途:選擇優(yōu)化方法。Normal 是標準 Davidson 算法;Fast 更快但可能不穩(wěn)定。

  • NELM = 60 含義:電子最小化步數的最大值。 用途:限制每離子步的電子迭代次數。默認 60,如果未收斂可增大。

  • EDIFF = 1E-06 含義:電子最小化的能量收斂閾值(單位 eV)。 用途:當能量變化小于此值時停止電子循環(huán)。用于控制精度;更嚴格的值(如 1E-08)用于高精度計算。當EDIFF =0 時,將嚴格執(zhí)行NELM電子自洽步驟。

  • ISMEAR = 0含義:展寬方法(-1 為 Fermi 展寬;0 為

  • Gaussian;-4/-5 為四面體方法)。 用途:處理部分占據軌道。Fermi 展寬適合金屬;四面體適合半導體/絕緣體。不同的值適用于不同的體系:導體,半導體,絕緣體;( 0 (Gaussian Smearing) 可以滿足大部分的體系(金屬,導體,半導體,分子))

  • SIGMA = 0.05 含義:展寬寬度(單位 eV)。 用途:控制展寬強度。過大導致能量不準,過小可能不收斂。典型值 01-0.2。

1)金屬 ISMEAR = 1 ; SIGMA = 0.1(默認0.2,也可以用0.05)
2)絕緣體或半導體 ISMEAR = 0 ; SIGMA = 0.05
3)氣體分子,原子體系計算: ISMEAR = 0 ;SIGMA = 0.01

  • 離子弛豫/分子動力學標簽:

  • EDIFFG = -1E-02 含義:離子弛豫的力收斂閾值(單位 eV/?)。負值表示力閾值,正值表示能量閾值。 用途:決定何時停止結構優(yōu)化。當所有力小于 |EDIFFG| 時停止。

  • NSW = 20 含義:離子步數。 用途:設置弛豫或 MD 的步數。0 表示只做單點能計算;>0 啟用離子運動。

  • IBRION = 2 含義:結構優(yōu)化算法(2 為共軛梯度;1 為 準牛頓法RMM-DIIS)。 用途:選擇優(yōu)化器。共軛梯度穩(wěn)定;RMM-DIIS 更快但可能不穩(wěn)。

  • POTIM = 0.5 含義:離子步長(單位 ?,或 MD 時 fs)。 用途:控制離子移動幅度。MD 時為時間步長。

    • 性能優(yōu)化標簽:

  • KPAR = 4 含義:k 點并行組數。 用途:并行化 k 點計算,提高效率。

  • NCORE = 4 含義:每個軌道的核數。 用途:優(yōu)化并行性能。

  • LREAL = A 含義:使用實空間投影(A 為原子級)。 用途:加速計算,但略微犧牲精度。適合大系統(tǒng)。

提示:VASP 在 OUTCAR 中回顯 INCAR 設置,便于驗證。標簽不區(qū)分大小寫,但值需精確。

 

二、POSCAR 文件

 

目的:

POSCAR 定義系統(tǒng)的原子結構,包括晶胞幾何和離子位置。它是計算的起點,支持選擇性動力學(固定某些原子)和初始速度(用于 MD)。格式與輸出文件 CONTCAR 兼容,用于重啟。

格式:

POSCAR 是固定順序的純文本文件。各部分按行分隔,有些可選。

各行的含義和用途(示例注解)

2.png

以下是典型 POSCAR 的行-by-行解釋,使用立方 BN 示例。

  • 第 1 行:注釋示例:Cubic BN 含義:系統(tǒng)描述(最多 40 字符)。 用途:標識文件,不影響計算。

  • 第 2 行:縮放因子示例:57 含義:通用縮放因子 s(或三個數分別縮放 x/y/z)。負值表示目標體積。 用途:縮放晶格矢量和笛卡爾位置。單位 ?,確保結構尺寸正確。

  • 第 3-5 行:晶格矢量示例:0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 含義:三個晶格矢量 的笛卡爾分量(未縮放)。 用途:定義單元胞。實際矢量 = 此 × s。用于計算倒易空間。

  • 第 6 行:物種名稱(可選)示例:B N 含義:元素符號列表。 用途:注釋,必須匹配 POTCAR 順序。不允許重復名稱(在某些模式下)。

  • 第 7 行:每個物種的離子數示例:1 1 含義:每個元素的原子數。 用途:定義總原子數和分配。順序匹配 POTCAR。

  • 第 8 行:選擇性動力學(可選)示例:Selective dynamics 含義:啟用后,每位置行添加 T/F 標志(T=允許移動,F=固定)(如0 0.0 0.0 F F F)。 用途:控制弛豫中哪些坐標可變。適用于表面或缺陷模擬。

  • 第 9 行:位置模式示例:Direct 含義:Direct 表示分數坐標;

  • Cartesian 表示絕對 ?。 用途:指定位置類型。Direct 適合周期系統(tǒng)。

  • 后續(xù)行:離子位置(每原子一行)示例:00 0.00 0.00 0.25 0.25 0.25 含義:每個原子的 x y z 坐標(Direct: 分數;Cartesian: ? × s)。如果選擇性動力學,添加 T/F。 用途:定義原子位置。順序按物種數分配(第一行 B,第二行 N)。需至少 7 位精度以保持對稱性。

  • 可選部分:晶格速度(MD 重啟)示例:從 CONTCAR 復制。 含義:晶格矢量的速度(當單元胞可變時)。 用途:僅用于 MD 續(xù)算,不手動編輯。

  • 可選部分:離子速度示例:Direct 后每原子一行速度。 含義:初始速度(Direct: 分數/步;Cartesian: ?/fs)。 用途:初始化 MD。通常用 INCAR 的 TEBEG 熱初始化。

  • 可選部分:MD 額外數據 含義:預測-校正坐標和恒溫器數據。 用途:僅用于 MD 重啟,不編輯。

提示:使用工具如 VESTA 檢查結構。精度高以避免對稱問題。

 

三、KPOINTS 文件

 

目的:

KPOINTS 指定 Brillouin 區(qū)中的 k 點采樣,用于積分電子結構。如果缺失,使用 INCAR 的 KSPACING。k 點收斂對精度至關重要。

格式

支持自動、正則網格、線模式和顯式列表。固定順序。

各行的含義和用途

不同模式下行不同。以下按模式解釋。

  • 自動模式(已棄用):

  • 第 1 行:注釋,如 Fully automatic mesh。用途:描述。

  • 第 2 行:0。含義:自動生成。

  • 第 3 行:Auto 或 A。含義:激活自動。

  • 第 4 行:10。含義:長度參數 ,決定細分。用途:生成 Gamma 中心網格。建議用 KSPACING 代替。

    • 正則 k 點網格(Gamma 或 Monkhorst-Pack,最常用):

  • 第 1 行:注釋,如 Regular k-point mesh。

  • 第 2 行:0。含義:自動計數。

  • 第 3 行:Gamma 或 Monkhorst。含義:網格類型(G: Gamma 中心;M: Monkhorst-Pack)。

  • 第 4 行:4 4 4。含義:沿倒易矢量的細分 N1 N2 N3。用途:定義網格密度。選擇比例匹配倒易矢量長度。

  • 第 5 行(可選):0 0 0。含義:移位 s1 s2 s3。用途:調整網格位置,避免對稱問題。

    • 線模式(帶結構):

  • 第 1 行:注釋,如 k points along high symmetry lines。

  • 第 2 行:40。含義:每段點數。用途:決定分辨率。

  • 第 3 行:line mode 或 L。含義:激活線模式。

  • 第 4 行:fractional 或 Cartesian。含義:坐標系。

  • 后續(xù)成對行:如 0 0 0 Γ 和 5 0.5 0 X。含義:路徑端點和標簽。用途:生成高對稱路徑上的 k 點。用于后處理(ICHARG=11)。

    • 顯式列表模式:

  • 第 1 行:注釋。

  • 第 2 行:4。含義:k 點數。

  • 第 3 行:Cartesian。含義:坐標系。

  • 后續(xù)行:0 0.0 0.0 1。含義:x y z 和權重。用途:自定義 k 點,適用于特殊情況如四面體方法擴展。

提示:對稱性會減少 k 點(ISYM>0)。Gamma 適合某些晶格以保持對稱。

 

四、POTCAR 文件

 

目的

POTCAR 包含每個元素的贗勢數據,用于描述原子核-電子相互作用。它由單個元素 POTCAR 拼接而成,必須與 POSCAR 順序匹配。

格式

純文本,由頭信息和表格數據組成。不編輯。

各部分/行的含義和用途

POTCAR 是拼接的,通常不按行手動創(chuàng)建。但理解其內容:

  • 頭信息標簽:

  • TITEL = PAW_PBE Ti_pv 07Sep2000 含義:贗勢標題,包括類型(PAW)、泛函(PBE)、元素和日期。 用途:標識贗勢。

  • LEXCH = PE 含義:交換-相關泛函。 用途:讀入但不控制計算(用 INCAR 覆蓋)。

  • ZVAL = 4 含義:價電子數。 用途:計算總電子數。

  • POMASS = 47.867 含義:原子質量(原子單位)。 用途:MD 時用于動力學;可調整輕元素。

  • ENMAX = 400 和 ENMIN = 300 含義:默認截斷能量。 用途:建議 ENCUT 值;VASP 用最大值。

  • EAUG = 600 含義:增強電荷截斷。 用途:內部計算。

  • 原子配置塊:如量子數 n, l, j、能量和占據。 含義:參考狀態(tài)定義。 用途:設置贗勢參考。

    • 表格數據塊:贗勢的數值表。用途:核心計算數據。

    • 結束:End of Dataset。

生成方式:cat POTCAR_Al POTCAR_C > POTCAR。重要性:確保計算準確性和可重復性。

審核編輯(
王靜
)
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